三星力求在 2 纳米时代重振其晶圆代工业务，目前看来已步入正轨。该公司近日公布了其下一代制程工艺的首批量产成果，显示出相较前代工艺显著的性能提升。即将搭载于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片即采用该工艺制造。此外，据称三星已成功为这一先进制造技术争取到其他芯片客户。
三星在其第三季度财报中披露，其第一代 2 纳米全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）制程相较于第二代 3 纳米技术有了显著提升：性能提升 5%，能效提升 8%；芯片面积更缩减了 5%，表现颇为亮眼。
近年来，三星晶圆代工部门持续面临行业龙头、同时也是主要竞争对手台积电（TSMC）的激烈竞争。根据 2025 年第二季度数据，台积电在全球晶圆代工市场所占份额已超 70%。不过，行业分析人士普遍认为，向 2 纳米技术的过渡有望为三星缩小与台积电的差距创造契机。
